场发射扫描电镜

　　JSM-IT800 场发射扫描电镜特性

　　JSM-IT800整合了我们用于从高分辨率成像到快速元素分析的“浸没式肖特基Plus场发射电子枪"、创新的电子光学控制系统“Neo Engine"以及无缝GUI系统“SEM Center"，该系统采用一体化JEOL X射线能量色散谱仪(EDS)作为通用平台，进行快速元素分析。

　　JSM-IT800允许物镜作为一个更换模块，提供不同的版本以满足各种用户需求。JSM-IT800有五种版本，提供不同的物镜：混合型物镜(HL)，这是一种通用FE-SEM；超级混合物镜（SHL/SHLs，具有不同功能的两种版本），可实现更高分辨率的观察和分析；以及新开发的半浸没式物镜（i/is，具有不同功能的版本），适用于纳米材料、化学、新材料、半导体器件的观察和分析。

　　此外，JSM-IT800还可以配备新型场发射扫描电镜(SBED)和多功能背散射电子探测器(VBED)。SBED支持以高响应性获取图像，即使在低加速电压下也能产生清晰的成分衬度，而VBED可以帮助获取3D、形貌和成分衬度的图像。因此，JSM-IT800可以帮助用户获取丰富多样德信息并解决测量中的问题。

　　■JSM-IT800热场发射扫描电子显微镜视频介绍

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　　1.浸没式肖特基Plus场发射电子枪集成的浸没式肖特基Plus电子枪和低像差聚光透镜可实现高亮度。即使低加速电压下也能获得充足的探针电流(100nA 5kv),这可帮助用户在对SEM参数进行微小调整的情况下，进行高分辨观察、高速元素面分析、EBSD分析、软X射线分析。

　　2.Neo Engine（New Electron Optical Engine）配备本公司电子光学技术精华的新一代电子光学控制系统，可在调整各种参数的同时进行稳定的观察。此外，该系统还具有增强的自动功能，更易于使用。

　　AFS ACB

　　样品：碳基纳米锡粒子

　　入射电压：15kV，WD：2mm，观察模式：BD，检测器：UED，倍率：x200,000。

　　3.SEM Center/EDS一体化操作导航“SEM Center"与本公司生产的EDS进行了全面集成，更易于操作。此外，还配备了Smile Navi（可选），可以帮助新手了解如何操作SEM，LIVE-AI(Live Image Visual Enhancer-AI)(可选)，可轻松查看实时图像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成报告。

　　4.LIVE-AI Filter利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以实现更高质量的实时图像。与图像集成处理不同，这样可以显示无残留图像的无缝移动实时图像。这一功能对于快速搜索观察区域、聚焦和像散调整非常有效。

　　实时图像比较：

　　样品：蚂蚁外骨骼，入射电压：0.5kV，SED检测器：

　　样品：铁锈，入射电压：1kV，SED检测器

　　5.HL/HLs（Hybrid Lens）、SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is（Semi-in-Lens）

　　JSM-IT800系列了提供多种物镜可供选择，以满足用户的多种需求。

　　HL版本和SHL版本（包括SHLs版本）配备了电磁/静电场叠加物镜。可以对从金属到纳米材料的各种样本进行高分辨率观察和分析，特别适用于磁性材料的观察和分析，例如EBSD分析。

　　i版本和is版本都配备了半浸没式物镜，非常适合对倾斜和横截面样本进行高分辨率观察和分析，这是半导体器件故障分析的要素。此外，它还适用于使用高位透镜内电子探测器(UID)进行观察。

　　6.高位检测器UHD（Upper Hybrid Detector）

　　SHL物镜里标配高位检测器，可高效检测样本中的电子，从而获得高S/N的图像。

　　SHL观察举例

　　1.氧化铝颗粒二次电子像

　　入射电压0.5kV，检测器：UHD

　　可以观察颗粒表面的阶梯结构，能清楚地看到纳米尺度的阶梯。

　　2.铝勃姆石和纤维素纳米纤维CNF

　　样本：IC芯片横截面（表面蚀刻，锇镀层）

　　入射电压：5.0kV（无BD模式），SHL观察模式，探测器：UHD、UED（BSE模式）

　　HL观察举例

　　i/is version观察举例

　　1.光催化颗粒二次电子像

　　JSM-IT800（i）UED检测器样品提供：东京大学特聘教授堂免一成这种光催化剂使水分解反应的量子效率接近100%。高分辨率SE图像清楚地显示：尺寸小于10 nm的助催化剂颗粒优先沉积在立方颗粒的晶面上，以促进析氢和析氧反应。

　　参考文献：T.Takata et.al.,"Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity,"Nature,581,411-414,2020.

　　2.半导体器件（SRAM）内部组成像、电位衬度像、凹凸像

　　观察条件：入射电压1kV，WD8mm，观察模式SIL，检测器UED、UID、SED，3种信号同时获取

　　7.新型背散射电子检测器

　　闪烁体背散射电子检测器（SBED、选配件）响应性能*，适用于低加速电压下材料衬度像的采集。多用途背散射电子检测器（VBED、选配件）适用于3D、凹凸等特色图像的采集。

　　SBED观察例

　　VBED观察例

　　VBED中不同方位的半导体元件接受不同角度的背散射电子。位于内侧的元件接受的电子主要反映样品的成分信息，外侧的主要反映其表面凹凸信息，且使用内侧半导体元件还能观察处于AI镀层深处的荧光物质。